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一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器

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一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 授权公告日:20150617 终止日期:20180925 申请日:20120925

专利权的终止
2015-06-17

授权

授权
2015-06-17

授权

授权
2013-03-13

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20120925

实质审查的生效
2013-03-13

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20120925

实质审查的生效
2013-01-30

公开

公开
2013-01-30

公开

公开

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1. 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器 [P] . 中国专利： CN102899714B . 2015.06.17
2. 一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法 [P] . 中国专利： CN104047047B . 2017.03.15
3. SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD AND SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS [P] . 日本专利： JPH0782084A . 1995-03-28

机译：单晶体生长方法和单晶体生长装置
4. METHOD OF GROWING CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE AND CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE GROWN BY THE METHOD [P] . 德国专利： DE3267253D1 . 1985-12-12

机译：生长结晶态碲化镉镉的方法和通过该方法生长的结晶态碲化镉镉的方法
5. METHOD OF GROWING CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE AND CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE GROWN BY THE METHOD [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0078830B1 . 1985-11-06

机译：生长结晶态碲化镉镉的方法和通过该方法生长的结晶态碲化镉镉的方法