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METHOD OF GROWING CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE AND CRYSTALLINE CADMIUM MERCURY TELLURIDE GROWN BY THE METHOD

机译:生长结晶态碲化镉镉的方法和通过该方法生长的结晶态碲化镉镉的方法

摘要

PCT No. PCT/GB82/00148 Sec. 371 Date Sep. 27, 1982 Sec. 102(e) Date Sep. 27, 1982 PCT Filed May 14, 1982 PCT Pub. No. WO82/04073 PCT Pub. Date Nov. 25, 1982.A method of growing crystalline cadmium mercury telluride by a vertical Bridgman process. A problem in growing such crystalline material is to produce significant quantities of material which are both of acceptable crystal quality and are of homogeneous composition. A melt of cadmium mercury telluride is prepared in a sealed ampoule, and the crystalline cadmium mercury telluride is grown from the melt by a vertical Bridgman process at a rate of from 0.1 to 2 mm per hour. During growth the ampoule is subjected to an accelerated crucible rotation programme which comprises the steps of accelerating the rate of rotation of the ampoule about is longitudinal axis and decelerating the rate of rotation of the ampoule.
机译:PCT号PCT / GB82 / 00148秒371日期1982年9月27日秒102(e),1982年9月27日,PCT,1982年5月14日提交,PCT公开。 PCT公开号WO82 / 04073。 1982年11月25日,采用垂直Bridgman工艺生长晶体碲化镉镉的方法。生长这种晶体材料的问题是要生产大量的材料,这些材料既具有可接受的晶体质量又具有均一的成分。在密封的安瓿瓶中制备碲化镉汞的熔体,并通过垂直Bridgman工艺以每小时0.1至2毫米的速度从该熔体中生长结晶碲化镉汞。在生长过程中,使安瓿经受加速的坩埚旋转程序,该程序包括以下步骤:加速安瓿绕纵轴的旋转速率;以及降低安瓿的旋转速率。

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