磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究

摘要

以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。