公开/公告号CN102751296B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-20
原文格式PDF
申请/专利权人 矽光光电科技(上海)有限公司;
申请/专利号CN201210257219.0
发明设计人 潘小和;
申请日2012-07-24
分类号H01L27/14(20060101);H01L27/15(20060101);
代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人周荣芳
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1387号51幢
入库时间 2022-08-23 09:26:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-20
授权
授权
2012-12-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/14 申请日:20120724
实质审查的生效
2012-10-24
公开
公开
机译: 使用衬底上有源器件的RF和DC测量来设计无源元件的MMIC半导体集成电路的制造方法,然后将无源元件电子束写入衬底
机译: 形成在SOI衬底上的半导体器件-在各自的半导体区域中形成有几个集成电路元件,这些半导体元件通过绝缘通道彼此隔开,并通过连接导体桥接
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件