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硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备

摘要

本发明涉及一种硅氧化物除去装置,用以除去从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物,其特征在于,至少具备接触器具(means)及中和器具,所述接触器具使从上述单晶硅制造装置排出的惰性气体接触强碱溶液,所述中和器具中和在接触该强碱溶液后的惰性气体中所包含的碱性物质。由此,能低成本地提高从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物的除去效果,而可提供一种硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备,可有效地除去硅氧化物而再利用此惰性气体。

著录项

  • 公开/公告号CN102471925B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201080035023.6

  • 发明设计人 樋口隆;堀内忠彦;

    申请日2010-05-27

  • 分类号

  • 代理机构隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人崔香丹

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-27

    授权

    授权

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20100527

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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