法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-13
授权
授权
2013-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130201
实质审查的生效
2013-05-22
公开
公开
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译: P-Algan层,其制造方法以及III族氮化物半导体发光器件
机译: 晶体管,一种制造晶体管的方法,一种半导体器件,一种制造半导体器件的方法,一种显示器件,以及一种电子器件,能够抑制水分渗透到氧化物半导体层中