法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-05
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-08-04
授权
授权
2003-03-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-01-01
公开
公开
2002-02-13
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: GAAS晶体生长固液边界面形状的观测方法
机译: 人工晶体生长系统的熔体流场测量方法及利用该方法的晶体生长装置
机译: 熔间隙测量装置,晶体生长装置和熔间隙测量方法