均匀高K金属闸极堆栈藉由在闸极图案化之前扩散金属成分调整精密晶体管的临限电压

摘要

本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。