公开/公告号CN103066486B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州镭创光电技术有限公司;
申请/专利号CN201210577664.5
申请日2012-12-27
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人董建林
地址 215300 江苏省苏州市昆山市经济技术开发区中小企业园章基路189号3栋206
入库时间 2022-08-23 09:24:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-22
授权
授权
2013-05-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 3/10 申请日:20121227
实质审查的生效
2013-04-24
公开
公开
机译: 基于多孔硅介电多层的准全向反折射结构,用于电磁光谱的近红外,可见和中紫外区域。
机译: 基于多孔硅介电多层的准全向反折射结构,用于电磁光谱的近红外,可见和中紫外区域。
机译: 基于多孔硅介电多层层的准全向反折射结构,用于电磁光谱的近红外,可见和中紫外区域