半导体基材表面结构与形成此表面结构的方法

摘要

本发明涉及一种半导体基材表面结构与形成此表面结构的方法。在此形成半导体基材表面结构的方法中，首先提供网状电极模板，其中此网状电极模板包含多条互相交错的导线。接着，进行阳极氧化处理步骤，以利用网状电极模板来于半导体基材的表面上形成多条互相交错的棒状氧化物，其中这些棒状氧化物是于半导体基材的表面上定义出多个半导体区域。然后，对半导体基材的表面进行蚀刻，以于每一半导体区域中形成凹陷部。接着，移除棒状氧化物，以于半导体基材的表面上形成互相交错的沟槽部。此半导体基材表面结构包含上述的沟槽部以及凹陷部。