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坩埚下降法晶体生长炉的下降装置

摘要

坩埚下降法生长晶体炉的下降装置,适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长,属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动,通过坩埚形成对晶体生长的干扰,降低了晶体质量。本发明之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于,升降杆下端的活塞位于液压缸中;位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部,另一端通向储油槽;安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接,降速控制器与滴油阀的控制部分连接。采用本发明下降法生长无掺杂LiCaAlF

著录项

  • 公开/公告号CN103046115B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN201210509805.X

  • 申请日2012-12-03

  • 分类号

  • 代理机构长春菁华专利商标代理事务所;

  • 代理人陶尊新

  • 地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 授权公告日:20150401 终止日期:20171203 申请日:20121203

    专利权的终止

  • 2015-04-01

    授权

    授权

  • 2015-04-01

    授权

    授权

  • 2013-05-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20121203

    实质审查的生效

  • 2013-05-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20121203

    实质审查的生效

  • 2013-04-17

    公开

    公开

  • 2013-04-17

    公开

    公开

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