半导体器件制作方法和SiGe HBT晶体管制作方法

摘要

一种半导体器件制作方法和SiGe HBT晶体管制作方法，其中SiGe HBT晶体管制作方法包括：提供包括HBT集电区的衬底；在HBT集电区上依次形成栅介电层、多晶硅栅层、氧化层和阻挡层；去除HBT集电区上的部分阻挡层及其下的氧化层、多晶硅栅层和栅介电层，形成露出HBT集电区上表面的沟槽；在沟槽中形成SiGe层，作为基区；在基区上形成多晶硅发射区；去除HBT集电区两端上的部分阻挡层及其下的氧化层，至露出HBT集电区两端上的部分多晶硅栅层的上表面，保留包围多晶硅发射区的阻挡层及其下的氧化层。将上述两种晶体管的制作工艺进行了兼容，节省了成本；抬高了CMOS晶体管的源/漏区；使SiGe HBT晶体管实现了基区与发射区的自对准。