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一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法

摘要

本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法,包括:将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186~210摄氏度,使用助焊剂将纯度为99.999%以上的铟焊接到银丝引线的一端,形成铟球;去除铟球表面附着的助焊剂;将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165~185摄氏度,将带有银丝引线的铟球焊接到经过碲镉汞薄膜片边缘上,制成测试电极。本发明有效地解决了传统的焊接方法经常会出现的测试中低温下电极断开、重复制备测试电极、碲镉汞薄膜表面铟的沾污面积增大、测试中欧姆接触不好、多次重复测试、测试后铟球不易去除等问题,且大大提高了电学性能测试中的测试结果的准确性和工作效率,提高了碲镉汞薄膜片的使用面积,降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN102856223B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201210099895.X

  • 发明设计人 许秀娟;折伟林;周翠;晋舜国;

    申请日2012-04-06

  • 分类号

  • 代理机构工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人罗丹

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-25

    授权

    授权

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20120406

    实质审查的生效

  • 2013-01-02

    公开

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