一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片

摘要

本申请涉及探测器芯片技术领域，公开了一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片，包括：在内部已制备好pn结的碲镉汞晶片表面依次形成碲化镉层和硫化锌层；在硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的区域的光刻胶；以光刻胶为掩膜，通过湿法腐蚀工艺去除掉对应于待形成的接触孔区域的硫化锌；去除光刻胶；以经湿法腐蚀工艺处理后的硫化锌层为刻蚀掩膜，通过干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成的接触孔区域的碲化镉层和部分碲镉汞材料，形成接触孔图形；通过电极沉积工艺和离子束刻蚀工艺在接触孔区域内形成金属电极。这样进行接触孔刻蚀和金属电极沉积，可以提升碲镉汞材料与金属电极之间的欧姆接触效果。