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制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法

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摘要

本发明涉及制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法。一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：形成栅线；在栅线上形成绝缘层；形成第一硅层、第二硅层、第一金属层和第二金属层；形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案；通过蚀刻第一金属层和第二金属层来形成第一金属图案和第二金属图案；用SF

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-03-04

授权

授权
2015-03-04

授权

授权
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/77 申请日:20110801

实质审查的生效
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/77 申请日:20110801

实质审查的生效
2012-11-28

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/77 变更前: 变更后: 登记生效日:20121030 申请日:20110801

专利申请权、专利权的转移
2012-11-28

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/77 变更前: 变更后: 登记生效日:20121030 申请日:20110801

专利申请权、专利权的转移
2012-02-08

公开

公开
2012-02-08

公开

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1. 制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法 [P] . 中国专利： CN102347274B . 2015.03.04
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机译：薄膜晶体管的结晶方法，薄膜晶体管阵列面板及薄膜晶体管阵列面板的制造方法