一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法，将专用的挤压去边机应用于硅晶圆抛光片边缘氧化膜处理过程，1、将硅晶圆片背封面与胶圈垫片胶圈面对齐，参考面朝下，放在挤压去边机的定位台上定位；2、通过转动螺纹挤压杆将定位好的硅晶圆片和胶圈垫片紧紧挤压到一起；3、将夹好硅晶圆片和胶圈垫片的挤压去边机放置于充满HF蒸汽的腔室或将夹好硅晶圆片和胶圈垫片局部浸入HF溶液中，摇动摇柄使右侧挤压盘旋转，4、用纯水冲洗掉硅晶圆片表面残留的HF后，将硅晶圆片和胶圈垫片分离，本方法可精确控制HF对SiO₂膜的去除范围，提高生产效率；降低成本，利于大规模量产，能满足任何规格的晶圆边缘氧化膜去除的生产需要。