公开/公告号CN103031526B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201210494037.5
申请日2012-11-28
分类号C23C14/34(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/06(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人竺路玲
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:23:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-21
授权
授权
2013-05-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20121128
实质审查的生效
2013-04-10
公开
公开
机译: 在硅衬底上沉积氧化硅层的方法,该方法用于形成例如硅的栅极。 N沟道金属氧化物半导体晶体管,包括在硅锗上形成硅层以在衬底上沉积氧化物层
机译: 用于在血小板上沉积氧化物层的反应器,特别是用于集成电路制造期间的五氧化钽沉积的反应器
机译: 通过在化学沉积室中形成反应混合物并向反应混合物中添加硅前驱物在基质上沉积Zr / Hf氧化膜和Zr / Hf-Si氧化膜的方法