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用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔及其应用

摘要

本发明提供一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔,包括反应腔本体,所述反应腔本体的腔室内侧壁上设有一空腔,所述空腔内设有固定支架,所述固定支架具有伸缩部件,固定支架在所述伸缩部件带动下伸出空腔,所述固定支架可伸出空腔一端设有钽环。本发明提供的反应腔用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔能减少钽环上的钽薄膜沉积,防止沉积在钽环的薄膜过厚,产生钽薄膜开裂剥落的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN103031526B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201210494037.5

  • 发明设计人 韩晓刚;陈建维;张旭昇;

    申请日2012-11-28

  • 分类号C23C14/34(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/06(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    授权

    授权

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20121128

    实质审查的生效

  • 2013-04-10

    公开

    公开

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