相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法和装置

摘要

本发明公开了相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法及装置，将被测单元的下电极与CMOS管的漏极串接；向CMOS管的栅极施加等幅度等脉宽的脉冲序列，同时向相变存储器单元的上电极施加由零至设定电压值之间阶梯变化的直流扫描电压；在脉冲序列的作用下，CMOS管周期性地开启和关闭；CMOS管开启时，工作在线性区，相变存储器单元两端的电压等值于直流扫描电压，通过取样电阻测量单元的电流；在CMOS管周期性地开启和关闭过程中，实时记录单元两端电压和电流序列值，实现脉冲I-V特性的测试。本发明能精细表征相变存储器单元在脉冲作用下的电学特性，避免因直流I-V特性扫描中产生的自热效应和电荷势阱效应导致对被测微纳相变存储器件I-V特性的影响，甚至器件的损坏。