机译:脉冲和直流体二极管电流应力对1200V SiC MOSFET I-V特性的稳定性的影响
U.S. Army Research Laboratory 2800 Powder Mill Rd. Adelphi MD. 20783 USA;
U.S. Army Research Laboratory 2800 Powder Mill Rd. Adelphi MD. 20783 USA;
University of Maryland College Park MD. 20742 USA;
MOSFET; body-diode; silicon carbide; basal plane dislocation (BPD); bipolar degradation; stacking fault (SF);
机译:SIC MOSFET特性对体二极管前电流应力的比较
机译:连续DC和脉冲DC电流应力下Pd / Ti接触p型SiC的稳定性得到改善
机译:连续DC和脉冲DC电流应力下改善Pd / Ti接触p型SiC的稳定性
机译:脉冲和直流体二极管电流应力对1200V SiC MOSFET L-V特性的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:SiC MOSFET的400 V微型直流固态断路器的设计
机译:超快脉冲 I-V i>以及低压泵送界面表征低压 n i> -Channel SiC MOSFET