公开/公告号CN103246174B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;
申请/专利号CN201310045671.5
发明设计人 兰崧;
申请日2013-02-05
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴敬莲
地址 荷兰维德霍温
入库时间 2022-08-23 09:22:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-10
授权
授权
2013-09-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20130205
实质审查的生效
2013-08-14
公开
公开
机译: 具有可调整的曝光缝隙形状的光刻设备,能够减少由于衬底拓扑和设备制造方法引起的聚焦误差
机译: 具有调整后的曝光狭缝形状的光刻设备,由于衬底拓扑和器件制造方法而使得缩小或聚焦误差成为可能。
机译: 用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法