首页> 中国专利> 衬底拓扑可知的光刻模型化

衬底拓扑可知的光刻模型化

摘要

本发明公开了一种衬底拓扑可知的光刻模型化方法,具体公开了用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法,所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第二特征和第一特征,所述方法包括步骤:在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第一特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第一分图像;在不使用入射辐射和第一特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第二特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第二分图像;由第一分图像和第二分图像计算在抗蚀剂层内形成的图像;其中,入射辐射和第一特征的相互作用与入射辐射和第二特征的相互作用不同。

著录项

  • 公开/公告号CN103246174B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201310045671.5

  • 发明设计人 兰崧;

    申请日2013-02-05

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴敬莲

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    授权

    授权

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20130205

    实质审查的生效

  • 2013-08-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号