将湿式处理用于源极-漏极金属蚀刻从而制造金属氧化物或金属氮氧化物TFT的方法

摘要

本发明大体上关于薄膜晶体管(TFT)以及制做TFT的方法。TFT的有源沟道可包含一种以上的金属，这些金属选自由锌、镓、锡、铟及镉所构成的群组。有源沟道亦可包含氮及氧。为了在源极-漏极电极图案化期间保护有源沟道，可沉积蚀刻停止层于有源层上。蚀刻停止层防止有源沟道暴露至用于界定源极与漏极电极的等离子体。当对用于有源沟道的有源材料层进行湿式蚀刻时，该蚀刻停止层与源极和漏极电极可被用作掩模。