具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作

摘要

制造集成电路器件的方法和结构：在衬底中制作存储器件，光刻制作栅窗口，在栅窗口中制作第一间隔，用第一间隔在衬底中制作条形窗口以对准条形窗口，在条形窗口中制作第二间隔，用第二间隔在衬底中制作隔离窗口，用绝缘材料填充隔离窗口，在栅窗口中形成台阶，形成第一扩散区，在衬底和台阶上制作栅绝缘层，制作栅导体，形成第二扩散区，制作与栅导体隔离的接触，栅导体中的电压形成邻近台阶的衬底中的导电区，与条形和接触电连接。