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铝合金薄膜及靶材和使用它的薄膜形成方法

摘要

本发明的目的是提供一种即使经过300~400℃热处理后也无小丘发生且电阻率在7μΩcm以下的耐热性、低电阻铝合金薄膜及能够形成具有上述特性的铝合金薄膜的溅射靶材。本发明的铝合金薄膜的特征在于,含有作为合金成分的铝、碳及镁,以碳的原子百分率为Yat%、镁的原子百分率为Xat%,则碳及镁的含量为由式X=0.61、X=8、Y=2、Y=-0.13X+1.3所包围范围内的量,余量为铝及不可避免的杂质。另外,本发明的用于形成铝合金薄膜的溅射靶材的特征在于,构成靶材的成分为铝、碳、镁及不可避免的杂质,碳及镁的量为由上述各式所包围范围内的量,余量为铝及不可避免的杂质。

著录项

  • 公开/公告号CN1138011C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三井金属鉱业株式会社;

    申请/专利号CN00801709.3

  • 发明设计人 久保田高史;渡边弘;

    申请日2000-08-10

  • 分类号C22C21/06;C23C14/34;G09F9/30;H01L21/203;H05K1/09;H05K3/14;

  • 代理机构上海专利商标事务所;

  • 代理人陈剑华

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-11-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 21/06 授权公告日:20040211 终止日期:20090910 申请日:20000810

    专利权的终止

  • 2004-02-11

    授权

    授权

  • 2001-11-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-10-31

    公开

    公开

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