薄膜パターン形成方法，薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子

摘要

本発明は，磁気ヘッドやMRAM (Magnetic Random Access Memory）に使われるトンネル磁気抵抗（TMR: TunnelingrnMagnetoresistive）素子の微細化技術である。本発明を適用することにより，電子線リソグラフィー（電子線で描画する方法）rnを用いた従来の薄膜パターン形成方法では困難であった長辺の長さが100nm以下の長方形パターンのTMR素子を容易に形成rnできるようになり．高密度記録に適したTMR磁気ヘッドやMRAMを実現することができる。