微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

摘要

应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃密切相关的是反磁化非一致转运过程中发生的畴壁合并和畴壁极性转变这两个不可逆因素，观察到传感器在和引线联结处的钩状畴也参与了这种不可逆转变，这是一个值得注意的实验事实。