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GdFeCo薄膜内副格子磁化の磁性体膜厚依存性と全光型磁化反転現象

机译:GdFeCo薄膜内副格子磁化の磁性体膜厚依存性と全光型磁化反転现象

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摘要

全光型磁化反転(AOS: AH-Optical magnetization Switching)現象と呼ばれる数十fs程のパルス幅を持つ超短パルス光照射により誘起される磁化反転現象·磁区形成現象が発見された。このAOS現象は,フェリ磁性合金GdFeCoを磁性層に持つ20 nmの薄膜試料により発見され,同じくフェリ磁性合金のTbCoやTbFeCo,フェロ磁性FePt-Cのダラニュラー薄膜,Co/Pt多層膜など,その後複数種の磁性体においてAOS現象が確認された。これらAOS現象誘起可能磁性材料にはそれぞれ特徴がある。例えば,単一超短パルス光照射のみにより,決定論的に磁化反転現象が誘起できる全光型磁化反転現象(完全磁化反転型AOS現象)は現在,希土類遷移金属合金薄膜のみによる。本論文では,特に新奇な磁化反転現象である完全反転型の全光型磁化反転(AOS)現象の観点からGdFeCoの磁気的特性を評価し,完全反転型AOSに求められる磁性体の特徴について検討をすすめる。
机译:通过超短脉冲光照射引起的磁化反转现象和磁畴形成现象,其脉冲宽度约为几十个FS,称为整个光磁化反转(AOS:AH光磁化切换)。该AOS现象是通过磁性层中具有亚铁磁性合金GdFeco的20nm薄膜样品,以及铁磁性合金TBCO,TBFECO和铁磁性镍钴-C Dalanler薄膜,Co / Pt多层膜等。AOS现象是在种子磁性物质中确认。这些AOS现象诱导的磁性材料的特征在于每个。例如,通过单一超短脉冲光照射仅通过总光磁化反转现象(全磁化倒置AOS现象)目前仅通过稀土过渡目前仅通过稀土过渡(全磁化反转AOS现象)来诱导总光磁化反转现象(全磁化反转型AOS现象)金属合金薄膜。在本文中,我们从完全倒进的总光磁化反转(AOS)现象的观点来看GDFECO的磁特性,特别是一种新型磁化反转现象,并检查完全倒AOS所需的磁性物质的特性。SURRU。

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