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包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路

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提供了一种具有低电压读/写操作的集成电路。集成电路可以包括处理器(10)和多个存储器单元(22)，多个存储器单元(22)以行和列来组织，并且与该处理器(10)耦合，其中，存储器单元的行包括字线并且所有的存储器单元与该字线耦合，以及其中，存储器单元的列包括位线并且所有存储器单元与该位线耦合。集成电路还可以包括用于接收第一电源电压的第一电源电压端子(V

著录项

公开/公告号CN102394100B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-09-24

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN201110328909.6
发明设计人普拉桑特·U·肯卡雷;安德鲁·C·拉塞尔;大卫·R·彼阿登;詹姆斯·D·伯内特;特洛伊·L·库柏;张沙彦;
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申请日2007-04-19
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人李佳
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 09:21:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-08

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 7/22 变更前: 变更后: 申请日:20070419

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-09-24

授权

授权
2014-09-24

授权

授权
2012-05-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/22 申请日:20070419

实质审查的生效
2012-05-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/22 申请日:20070419

实质审查的生效
2012-03-28

公开

公开
2012-03-28

公开

公开

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1. 包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路 [P] . 中国专利： CN102394100B . 2014.09.24
2. 包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路 [P] . 中国专利： CN102394100A . 2012-03-28
3. Integrated circuit having a memory with low voltage read/write operation [P] . 美国专利： US7542369B2 . 2009-06-02

机译：具有具有低电压读/写操作的存储器的集成电路
4. Integrated circuit having a memory with low voltage read/write operation [P] . 美国专利： US7292495B1 . 2007-11-06

机译：具有具有低电压读/写操作的存储器的集成电路
5. An integrated circuit having a memory to perform read / write operations at low voltages [P] . 日本专利： JP5598876B2 . 2014-10-01

机译：具有存储器的集成电路，以在低电压下执行读/写操作