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具有高Q值电感组件的半导体技术制造方法及其结构

摘要

一种具有高Q(Quality Factor)值电感组件的半导体技术制造方法是以多层回旋状导电层来制造一具有高Q值电感结构,其中在上述回旋状导电层间距中形成有空气隙(Air Gap)。上述多层导电层可降低电感本身的电阻,而具低介电常数的空气隙则可减少电感中的寄生电容。因此,本发明所制造之电感结构可有效增加电感的Q值。

著录项

  • 公开/公告号CN1153272C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华邦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN01110104.0

  • 发明设计人 刘萍;

    申请日2001-03-23

  • 分类号H01L21/70;H01F41/00;H01F17/00;

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/70 授权公告日:20040609 终止日期:20150323 申请日:20010323

    专利权的终止

  • 2004-06-09

    授权

    授权

  • 2003-01-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-30

    公开

    公开

  • 2001-11-28

    实质审查的生效

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