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一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源

摘要

一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源,属于小型特种离子源技术领域。主要包括:场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后,放置于场发射阵列之上,其表面与场发射阵列表面平行,加速极置于泡沫金属活性薄板之上。工作时,场发射阵列的工作电压小于1kV,使尖端表面电场处于15~20V/nm即可。泡沫金属活性薄板相对于场发射阵列的上表面外接-700V左右的低压电源,加速极相对于泡沫金属活性薄板外接-10kV以上的高压脉冲电源。采用本发明后可以从加速极输出高比例氢(包括其同位素氘或氚)原子离子束,并且降低场发射阵列工作电压使其不至于烧毁。

著录项

  • 公开/公告号CN102709139B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201210161962.6

  • 发明设计人 邹宇;展长勇;伍建春;

    申请日2012-05-23

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610064 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 27/02 授权公告日:20140917 终止日期:20150523 申请日:20120523

    专利权的终止

  • 2014-09-17

    授权

    授权

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 27/02 申请日:20120523

    实质审查的生效

  • 2012-10-03

    公开

    公开

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