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制造存储电路堆栈和寻址存储电路的方法及对应堆栈和设备

摘要

本发明涉及一种用于制造存储电路堆栈的方法(10),其中该方法包括对至少两个存储电路的有效性进行测试的步骤(14)。根据本发明,该方法包括对每个存储电路进行配置的阶段(18),配置阶段包括在包含于堆栈中的每个存储电路的配置设备内写入与给堆栈中的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与存储电路的有效性测试的结果相关的信息的步骤(110)。本发明也涉及一种用于对存储电路进行寻址的方法、一种存储电路堆栈和一种包含这样的堆栈的电子设备。

著录项

  • 公开/公告号CN101971265B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格马尔托股份有限公司;

    申请/专利号CN200980107973.2

  • 发明设计人 P·格拉夫;M·蒂尔;

    申请日2009-02-23

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人胡莉莉

  • 地址 法国默东

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 29/00 授权公告日:20140820 终止日期:20160223 申请日:20090223

    专利权的终止

  • 2014-08-20

    授权

    授权

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20090223

    实质审查的生效

  • 2011-02-09

    公开

    公开

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