公开/公告号CN102692332B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-08-20
原文格式PDF
申请/专利权人 东北大学;
申请/专利号CN201210191079.1
申请日2012-06-11
分类号G01M99/00(20110101);B05B5/03(20060101);B05B5/16(20060101);B05B15/00(20060101);
代理机构21109 沈阳东大知识产权代理有限公司;
代理人李运萍;范象瑞
地址 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
入库时间 2022-08-23 09:20:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01M 99/00 授权公告日:20140820 终止日期:20150611 申请日:20120611
专利权的终止
2014-08-20
授权
授权
2012-11-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01M 99/00 申请日:20120611
实质审查的生效
2012-09-26
公开
公开
机译: 用于真空镀膜系统中的真空处理基材的装置以及包括该装置的真空镀膜系统
机译: 用于控制真空镀膜系统中磁控溅射时镀膜速率横向分布的装置,具有用于调节从气体通道段进入真空室的气体流量的气体调节单元,该气体调节单元被设置为致动器
机译: 用于真空镀膜系统的溅射镀膜装置,包括具有安装凸缘和支撑部分的支撑单元,溅射磁控管和真空泵,其中支撑部分通向安装凸缘的吸入口