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氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法

摘要

本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法,其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波,在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后,停止上述激励光的照射,并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化,根据上述测定的值算出寿命值,由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。

著录项

  • 公开/公告号CN102313849B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社神户制钢所;

    申请/专利号CN201110163468.9

  • 申请日2011-06-17

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人雒运朴

  • 地址 日本兵库县

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2012-03-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/00 申请日:20110617

    实质审查的生效

  • 2012-01-11

    公开

    公开

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