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透明的整流的金属-金属氧化物-半导体接触结构及其制造方法和用途

摘要

本发明涉及透明的整流接触结构,以用在电子构件中,尤其用在光电子技术、太阳能技术和传感技术中,以及涉及这种透明的整流接触结构的制造方法。依据本发明的透明的整流接触结构具有下列组成部分:a)透明半导体;b)由金属氧化物、金属硫化物、和/或金属氮化物所制成的、透明的、非绝缘而且非导通的层,这些层的电阻率优选处在10

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/108 授权公告日:20140813 终止日期:20180621 申请日:20100621

    专利权的终止

  • 2014-08-13

    授权

    授权

  • 2014-08-13

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/108 申请日:20100621

    实质审查的生效

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/108 申请日:20100621

    实质审查的生效

  • 2012-05-16

    公开

    公开

  • 2012-05-16

    公开

    公开

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