一种可调控介质层磁性的阻变存储器

摘要

本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀磁氧化物薄膜，该具有稀磁特性的ZnO薄膜由下述原子百分数的元素组成：过渡金属为1.0～3.0at.%，Zn为47.0～49.0at.%，其余为O。采用阻变的方式调控ZnO基稀磁氧化物存储介质层磁性的变化，这种磁性强弱的变化可以用作信息的存储，增加了信息存储的维度。