减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法

摘要

本发明公开了一种减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法，包括下列步骤：选择填充低介电常数介质材料的铜互连结构作为基底，由下而上依次为低介电常数介质层、阻挡层和电镀的铜金属层；通过化学机械研磨去除表面多余的铜和阻挡层，进行清洗干燥；对已有介质损伤和金属材料损伤的互连结构做氧化处理，将受损结构转化为氧化层；采用湿化学去除的方法去除受损结构转化成的氧化层；对残留的介质受损结构或金属上的金属氧化物进行处理。本发明可以获得无损伤的互连结构，由于不存在受损缺陷层，经本发明处理后的基底与后续薄膜结合紧密，有利于互连结构的电迁移和可靠性寿命的提升，可以提高现有工艺的可靠性，产品良率和整体芯片性能。