CMP浆料及使用该浆料进行抛光的方法

摘要

本发明涉及一种当用于例如对氧化硅层进行抛光或使其平坦化时能够减少凹陷的产生的CMP浆料，并涉及一种抛光方法，所述CMP浆料包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种包含磷酸基的化合物和水，且CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。