法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-11
授权
授权
2012-10-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120406
实质审查的生效
2012-08-22
公开
公开
机译: 包括高压结的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件具有增加的安全工作区域
机译: 用于制造它们的方法以及一种金属氧化物半导体器件,以根据金属氧化物半导体(例如低氧化铜)与薄膜晶体管形成pn结
机译: 一种超结的制造方法-半导体装置以及超结-半导体装置