法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-11
授权
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/31 申请日:20111228
实质审查的生效
2012-07-04
公开
公开
机译: 半导体器件,例如在场效应晶体管中,包括铝-镓-铟-氮层,铝-镓-氮中间层和另一个铝-镓-铟-氮层
机译: 制造具有在沉积室中具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的装置,以及具有外延层的半导体晶片
机译: 用于在沉积室中制造具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的设备以及具有外延层的半导体晶片