一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置

摘要

一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）原料硅在石墨坩埚中熔化，将硅液倒入定向凝固装置中，盖上保温板，并保持上部温度在1450～1500°C；（2）硅液的表面上放置石墨板，石墨板与外界直流电压的负极相接，定向凝固装置底部的石墨层与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在通电状态下，以22～28°C/h的速度降温，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部富集的杂质区，得到金属杂质总含量小于0.1ppm的多晶硅。采用电泳辅助定向凝固除金属的方法，可有效的降低金属杂质的含量，大幅度的降低生产成本，解决了产量低，生产周期长，耗能大，设备复杂，生产成本高的难题。