公开/公告号CN102356186B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 AXT公司;北京通美晶体技术有限公司;
申请/专利号CN201080002216.1
申请日2010-12-13
分类号
代理机构北京北翔知识产权代理有限公司;
代理人徐燕
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:19:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-04
授权
授权
2013-01-02
专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/08 变更前: 变更后: 登记生效日:20121130 申请日:20101213
专利申请权、专利权的转移
2012-03-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/08 申请日:20101213
实质审查的生效
2012-02-15
公开
公开
机译: 具有低微坑密度(MPD)的锗锭/晶片及其制造系统和方法
机译: 具有低微坑密度(MPD)的锗锭/硅片及其制造系统和方法
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