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在多级单元闪存装置中使用的最低有效位页恢复方法

摘要

本发明提供一种在多级单元(MLC)闪存装置中使用的最低有效位(LSB)页恢复方法。所述方法包括:设置第一至第n LSB页组(n是大于2的自然数),所述LSB页组包括MLC闪存中所包括的LSB页中的至少两个LSB页;对第i LSB页组(i是小于n的自然数)中所包括的第一至第x LSB页(x是大于2的自然数)进行编程;针对第一至第x LSB页产生并存储第i LSB奇偶校验页;对与第一至第x LSB页中的一个LSB页对应的第一至第x MSB页进行编程;在第j MSB页(j是小于x的自然数)的编程期间,当对MLC闪存的供电中断时,使用与第i LSB页组对应的第i LSB奇偶校验页恢复与第j MSB页配对的第j LSB页。

著录项

  • 公开/公告号CN101685672B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200910176282.X

  • 发明设计人 朴景民;安成晙;

    申请日2009-09-21

  • 分类号

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人韩明星

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-18

    授权

    授权

  • 2011-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20090921

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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