公开/公告号CN102201442B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201110083011.7
申请日2011-04-02
分类号
代理机构
代理人
地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2022-08-23 09:19:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-18
授权
授权
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20110402
实质审查的生效
2011-09-28
公开
公开
机译: 制造功率晶体管装置的多层结构的方法,制造用于异质结场效应晶体管装置的多层结构的方法以及基于氮化物的异质结场效应晶体管装置
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值