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半导体元件用外延基板、肖特基接合结构以及肖特基接合结构的漏电流抑制方法

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本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为In

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公开/公告号CN102024845B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-14

原文格式PDF
申请/专利权人日本碍子株式会社;
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申请/专利号CN201010251699.0
发明设计人三好実人;市村干也;角谷茂明;杉山智彦;仓冈义孝;田中光浩;
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申请日2010-08-09
分类号
代理机构北京北翔知识产权代理有限公司;
代理人钟守期
地址日本爱知县名古屋市
入库时间 2022-08-23 09:19:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-05-14

授权

授权
2012-06-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/12 申请日:20100809

实质审查的生效
2011-04-20

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