一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法

摘要

本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1-3W/cm³，处理时间5-60分钟，采用H₂或含氢的化合物，经本发明提供的方法处理，可使CNT薄膜的电流密度提高3倍，阈值强度降低3倍多，电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高，对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合，全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。