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提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法

摘要

本发明涉及提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法,包括:(1)铝衬底和碳纳米管的预处理,(2)碳纳米管浆料配制,(3)碳纳米管浆料的印刷,(4)碳纳米管印刷层的烧结处理,(5)碳纳米管薄膜的后期处理。本发明方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触,进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能;同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列,形成新的碳纳米管发射点,从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性,降低了碳纳米管场致发射的阈值场强,提高了发射电流密度。

著录项

  • 公开/公告号CN101540254A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN200910049684.3

  • 发明设计人 邹儒佳;李大勇;

    申请日2009-04-21

  • 分类号H01J9/02;C01B31/02;H01J31/12;

  • 代理机构上海泰能知识产权代理事务所;

  • 代理人黄志达

  • 地址 201620 上海市松江区松江新城区人民北路2999号

  • 入库时间 2023-12-17 22:48:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J9/02 公开日:20090923 申请日:20090421

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-11-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-23

    公开

    公开

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