公开/公告号CN102446970B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201110250270.4
申请日2011-08-29
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:19:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-28
授权
授权
2012-06-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110829
实质审查的生效
2012-05-09
公开
公开
机译: 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法,用于形成绝缘膜的涂布液,其制备方法,用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及用于制造该半导体膜的半导体器件的形成方法-绝缘涂层,生产流体的过程,形成用于半导体设备的绝缘涂层的过程,以及通过应用上述过程来生产半导体设备的过程)
机译: 能够防止空洞形成的半导体装置的金属配线形成方法
机译: 在具有防空洞能力的半导体器件中形成具有高间隙填充的器件隔离层的方法