誘導帯電を利用した半導体デバイスの純水スプレー洗浄の静電気障害対策：第２報 誘導帯電素子の位置および形状に関する検討

摘要

近年、半導体デバイス製造において、純水スプレーによる洗浄工程が注目されている。この純水スプレー洗浄は、比抵抗値の高い純水を霧化させる方法であるため、液滴の分裂帯電電で静電気が生じ1)、半導体デバイスに静電気障害ESD (Electrostatic Discharge)を生じさせる。対策として炭酸ガスを純水に混入させるが取られているが、純水を改質しない新たな方法が求められている。前報では、スプレーする純水に高電圧を印加した誘導帯電素子を用いて、帯電した液滴に誘導帯電させて静電気を除去させる方法を発案し、実験によりその効果を確かめた2)。本報においては、誘導帯電素子の設置位置および形状を確認したので報告する。