用于碳化硅器件的双保护环边缘终端和制造具有双保护环边缘终端的碳化硅器件的方法

摘要

提供了用于半导体器件的边缘终端结构，包括在半导体层中的多个隔开的同心浮置保护环，至少部分环绕半导体结。隔开的同心浮置保护环具有重掺杂部分和轻掺杂部分。在此还提供了制作器件的相关方法。