三掩膜形成屏蔽栅极沟槽场效应晶体管的方法及器件

摘要

在带有三掩膜屏蔽栅工艺的沟槽中直接接触，本发明提出了一种半导体器件及其制备方法。在半导体衬底上使用沟槽掩膜，刻蚀衬底形成三种不同宽度的沟槽。第一导电材料形成在沟槽底部。第二导电材料形成在第一导电材料上方。绝缘层将第一和第二导电材料分隔开。第一绝缘层沉积在沟槽上方。本体层形成在衬底的顶部。源极形成在本体层中。在沟槽和源极上方使用第二绝缘层。在第二绝缘层上方使用接触掩膜。形成穿过第二绝缘层的源极和栅极接头。源极和栅极金属形成在第二绝缘层上方。