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公开/公告号CN102912306B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN201210400022.8
发明设计人 雷明凯;朱小鹏;吴彼;吴志立;孟笛;
申请日2012-10-20
分类号
代理机构大连星海专利事务所;
代理人花向阳
地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
入库时间 2022-08-23 09:18:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
授权
2013-03-20
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20121020
实质审查的生效
2013-02-06
公开
机译: SP3高功率脉冲磁控溅射工艺,可实现高密度,高SP3含量的层
机译: 实现高密度,高SP3含量的高功率脉冲磁控溅射工艺
机译: 高功率脉冲磁控溅射工艺,可实现高密度,高SP3含量的层
机译:一种有效的证据和测量高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)的金属离子部分用PT,AU,Pd和混合靶标测量高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)
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机译:高功率脉冲磁控溅射
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